2025年9月12日，SK海力士宣布，已成功完成面向AI的超高性能存儲器新產品HBM4的開發，并在全球首次構建了量產體系。

SK海力士表示：“公司成功開發將引領人工智能新時代的HBM4，并基于此技術成果，在全球首次構建了HBM4的量產體系。此舉再次向全球市場彰顯了公司在面向AI的存儲器技術領域的領導地位。”

SK海力士HBM開發擔當趙珠煥副社長表示：“HBM4的開發完成將成為業界新的里程碑。公司將及時為客戶提供在性能、能效和可靠性方面都滿足需求的產品，以此鞏固在面向AI的存儲器市場的競爭優勢，并縮短產品上市時間（Time to Market）。”

隨著AI需求和數據處理量劇增，為實現更快的系統速度，對高帶寬存儲器的需求也在激增。此外，數據中心巨大的耗電使得其運營負擔日益加重，存儲器的能效已成為客戶所要求的關鍵因素。借此，SK海力士有望提升帶寬和能效的HBM4將成為滿足要求的最佳解決方案。

這次全新構建量產體系的HBM4采用了較前一代產品翻倍的2048條數據傳輸通道（I/O），將帶寬擴大一倍，同時能效也提升40%以上。憑借這一突破，該產品實現了全球最高水平的數據處理速度和能效。公司預測，將該產品引入客戶系統后，AI服務性能最高可提升69%，這一創新不僅能從根本上解決數據瓶頸問題，還可顯著降低數據中心電力成本。

與此同時，此次HBM4實現了高達10Gbps（每秒10千兆比特）以上的運行速度，這大幅超越JEDEC標準規定的8Gbps（每秒8千兆比特）。

公司在HBM4的開發過程中采用了產品穩定性方面獲得市場認可的自主先進批量回流模制底部填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）技術和第五代10納米級（1b）DRAM工藝，最大程度地降低其量產過程中的風險。

MR-MUF 是指在堆疊半導體芯片后，為了保護芯片間的電路，在其中填充液體保護材料，使其固化。有評價稱，與每堆一個芯片就鋪設薄膜型材料的方式相比，該技術提高了效率和散熱效果。特別是SK海力士的先進MR-MUF技術，較現有技術減少了芯片堆疊時所施加的壓力，提高了芯片的翹曲控制力(Warpage Control)，這是確保HBM穩定量產的關鍵。

SK海力士AI Infra擔當金柱善社長（CMO，Chief Marketing Officer）表示：“此次正式宣布全球率先構建量產體系的HBM4，不僅是突破AI基礎設施極限的一個標志性轉折點，更是可解決AI時代技術難題的核心產品。”又表示：“公司將及時供應AI時代所需的最高品質和多樣化性能的存儲器，致力成為‘全方位面向AI的存儲器供應商（Full Stack AI Memory Provider）’。”